AI热潮驱动HBM需求飙升 三星电子或将引入SK海力士MUF封装工艺

AI每日新闻1个月前发布 shen
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随着人工智能技术的持续火爆,高性能存储器(HBM)的需求也在日益增长。近日,三星电子被曝出有意引入竞争对手SK海力士所主导的MR-MUF(批量回流模制底部填充)芯片封装工艺,这一消息引发了业界的广泛关注。

AI旋风了解到,根据路透社的报道,三星电子已经决定采纳MR-MUF技术,替代此前坚持使用的非导电薄膜(NCF)技术。这一转变显示出三星在提升HBM生产良率方面的决心。三位直接知情人士透露,三星已经向相关设备供应商发出了处理MR-MUF技术的采购订单,显示出其推进这一技术路线的坚定态度。

“三星必须采取一些措施来提高其HBM良率。”知情人士表示,“采用MUF技术对三星来说有点像是抛弃自尊心的决定,因为这相当于效仿了SK海力士的行为。”尽管这一决策可能对三星的自尊心有所挑战,但在市场竞争和技术进步的双重压力下,三星显然更愿意选择跟随市场趋势,以提升自身的竞争力。

分析师指出,目前三星的HBM3芯片生产良率大约在10-20%的范围内,而SK海力士的HBM3生产良率则高达60-70%。随着AI行业的快速发展,业界对于高性能、高可靠性的HBM3和HBM3E的需求日益旺盛。在这一背景下,三星显然需要尽快提升其HBM的生产良率,以满足市场需求。AI热潮驱动HBM需求飙升 三星电子或将引入SK海力士MUF封装工艺

消息人士还透露,三星正在与包括日本长濑集团在内的材料供应商洽谈采购MUF材料的事宜。长濑产业株式会社作为拥有近200年历史的日本十大商社之一,其在化工领域的专业地位无疑为三星提供了有力的支持。然而,值得注意的是,使用MUF技术的高端芯片最早也要到明年才能实现量产,因为三星还需要进行大量的测试和验证工作。

此外,三位消息人士还表示,三星计划在其最新的HBM芯片中同时使用NCF和MUF技术。这一策略可能有助于三星在提升良率的同时,也保留一定的技术储备和灵活性。

对于外界的猜测和报道,三星方面给出了回应。他们表示,公司内部开发的NCF技术依然是适用于HBM产品的“最佳解决方案”,并将继续用于其HBM3E芯片的生产。同时,他们也将按照计划推进HBM3E产品业务的发展。而英伟达和长濑方面则对此消息拒绝置评。

AI旋风认为,三星电子此次引入SK海力士的MUF封装工艺,无疑是AI热潮下HBM需求飙升的必然结果。这一决策不仅有助于三星提升HBM的生产良率和市场竞争力,也将对整个半导体行业产生深远的影响。随着AI技术的不断进步和市场的不断变化,我们期待看到更多创新性的技术和解决方案在半导体行业中涌现。

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